25.05.2021

Vollintegrierter optoelektronischer Licht Detektor mit Mehrbereichs-Bandbreite

Es sollen monolithische Silizium-Photodioden mit optimierten Verstärkern entwickelt und in ein Multi-Chip-Modul integriert werden. Die Bandbreiten sollen ohne Gleichsignalunterdrückung 0 Hertz (Hz) bis 200 Kilohertz (kHz) betragen, die Grenzempfindlichkeiten wenige Femtowatt (fW) bis Milliwatt (mW).

12555 Berlin

18.01.2016

Blasenloser Neigungssensor mit hoher Genauigkeit

Ziel war es, einen neuartigen optoelektronischen Neigungssensors mit einer gegenüber einem elektronischen Libellensensor verbesserten Genauigkeit, kleineren Abmessungen und auch einem geringeren Preis zu entwickeln.

99099 Erfurt

23.10.2015

Optischer Topographiekorrelator

Im Projekt wurden Messstrategien entwickelt, um schnelle Deflexions- und Specklekorrelationsmessungen durchzuführen. Dabei verdient das Speckle-Trecking-Verfahren besondere Aufmerksamkeit, da hiermit die Entwicklung handgeführter Streulicht-Sensoren zur Beurteilung großer Bauteile möglich wird.

07745 Jena

21.05.2015

Transparente ohmsche Kontakte für Halbleiter

Das Vorhaben betrifft eine Technologie zur frontseitigen Kontaktierung optoelektronischer Bauelemente für den optischen Datentransfer im NIR (980 bis 1600 Nanometer). Ziel war die Erhöhung der Lichtleistung von NIR-LEDs um 50 Prozent gegenüber dem Stand der Technik.

12555 Berlin

12.05.2015

Ultraflache Dotierungszonen

Gegenstand des Projektes war die Entwicklung einer Technologie zur Herstellung von flachen Dotierungsprofilen (< 50 Nanometer) in Verbindungshalbleitern mittels einer innovativen Kurzzeittemperanlage (Flash Lamp Anealing).

12555 Berlin

12.06.2014

IBOS – IR-Bolometersensor

Ziel des Projektes war die Entwicklung eines IR-Bolometersensors als Mikrochip mit deutlich höherer Wärmebeständigkeiten gegenüber vergleichbaren Bauelementen. Es konnte der Demonstrator eines leistungsfähigen IR-Detektors zur Verfügung gesetellt werden, welcher kostengünstig anzufertigen ist.

07745 Jena

25.04.2013

Optoelektronisches 3D Modul-Paar für optimierte Absorptionsrespektive Reflexionsmodi (TM3DIOF)

Das Projekt enthält die Entwicklung von Technologiemodulen zur dreidimensionalen Integration von optischen Funktionselementen.

99099 Erfurt

11.03.2013

Mikro-Interferenz-Sensor-Technologie (MORIA)

Technologisches Ziel von MORIA war es, eine technologische Anwender-Plattform für applikationsspezifische optische Abstandssensoren mit einem MORIA-Sensorprototyp für reflektierende Oberflächen zu entwickeln. Nach Projektabschluss sollte eine neue …

99099 Erfurt

18.05.2012

Tageslichtsimulator

Ziel des Projektes war die Entwicklung einer Lichtquelle, welche für die Nachstellung von Tageslicht in seinen Änderungen über den Tagesablauf ausreicht. Die Realisierung der Lichtquelle wird mit LED umgesetzt, die je nach Vorgabe Licht in hoher Qualität abgeben kann.

12555 Berlin