Ziel der Entwicklung
Mittels VHF-Anregung können hochdichte Plasmen realisiert werden. In diesem Projekt soll eine Technologie zur plasma-chemischen Abscheidung von Siliziumnitridschichten mittels VHF Anregung (81.36 MHz) entwickelt werden. Ziel war die Bereitstellung einer Beschichtungstechnologie für SiNx bei Prozesstemperaturen < 100 Grad Celsius bei vergleichbar guter Schichtqualität wie sie von der 300 Grad Celsius-Standard-PECVD (13.56 MHz) erreicht wird. Als Referenz dient die PECVD bei 13.56 MHz (T > 240 Grad Celsius) und ICPECVD bei Temperaturen von < 150 Grad Celsius.
Vorteile und Lösungen
Die im Projektantrag gesetzten Ziele wurden erreicht. Die Abscheidung spannungs- und absorptionsarmer SiNx-Schichten mittels VHF-PECVD wurde in einem weiten Druck Leistungsbereich realisiert und ermöglicht eine Absenkung der Beschichtungstemperatur auf T< 100 Grad Celsius. Damit steht neben der induktiven Quelle (ICP) nun auch eine kapazitive Quelle (CCP) für Niedertemperaturbeschichtungen zur Verfügung.
Diese Technologie zielt auf den Einsatz in der Polymerelektronik, ist Voraussetzung für Displays und Solarzellen auf Polymer-Substraten, für organische Lichtemitter und Sensorstrukturen und soll die Angebotspalette Plasmaanlagen produzierender KMUs erweitern.
Zielgruppe und Zielmarkt
Das Verfahren wurde in erster Linie entwickelt für einen Einsatz in Forschungseinrichtungen sowie in kleinen und mittleren Unternehmen, die Plasma-Anlagen für die Halbleitermikro- und nanotechnologie, die Mikrosystemtechnik und die Mikrooptik einsetzen oder herstellen.
Bezüglich einer Anlagenkonstruktion ist zu berücksichtigen, dass mit steigender Frequenz geometrische Probleme entstehen (stehende Wellen, inhomogene Feldverteilung auf Elektroden, Skineffekt) und folgerichtig weitere Entwicklungsarbeiten nötig werden wie Simulationsrechnungen und Elektrodentests.