Ziel der Entwicklung
Sensoren sollen Messungen auch in aggressiven Umgebungen durchführen können. Dafür müssen sensible Sensoroberflächen durch eine Oberflächenpassivierung geschützt werden. Im Projekt wurden Oberflächenpassivierungen mittels synthetischen Diamantschichten untersucht.
Vorteile und Lösungen
Synthetische Diamantschichten können CMOS-kompatibel hergestellt und verarbeitet werden. Allerdings sind in der Regel starke Anpassungen in der Prozessabfolge notwendig. Ziel des Projektes war es, Diamantschichten gezielt auf relevante Sensorbereiche zu beschränken und damit eine Nachbearbeitung der Schichten (Strukturierung) zu vermeiden.
Zielgruppe und Zielmarkt
Passivierungen werden in verschiedenen Bereichen in der Sensortechnologie und Mikrosystemtechnik verwendet. Die im Projekt adressierten synthetischen Diamantschichten wurden als Passivierung im Bereich Drucksensorik und Impedanzmesstechnik verwendet.
Im CiS Forschungsinstitut wurden durch die aufgebauten Erfahrungswerte in den Bereichen Vorbereitung für die Diamantsynthese (Seeding), Diamantstrukturierung Technologiekompetenzen erworben. Diese Ergebnisse fließen in die weiteren Forschungsaufgaben und Projekte mit Industriepartnern ein.