Ziel der Entwicklung
In dem Projekt wurden die Rahmenbedingungen für die Verbindung von Halbleiter-Sensoren mit LTCC-Substraten mittels leitfähiger und isolierender Glaslote untersucht und die Grenzen der Technologie im Hinblick auf kleine Glaslot-Strukturen ermittelt. Mit der entwickelten Verbindungstechnologie lassen sich die gegenüber chemischen Beanspruchungen empfindlichen Komponenten der Aufbau und Verbindungstechnik ersetzen und damit die Resistenz derartiger Sensoren signifikant erhöhen. Die Sensorchips lassen sich aufgrund des Substratmaterials Silizium und mit geeigneten Passivierungen gut gegen Umgebungseinflüsse schützen.
Vorteile und Lösungen
Mit der Verbindungstechnik lassen sich Sensoraufbauten mit Silizium-Drucksensorchips mit erhöhten Anforderungen an die chemische Resistenz, einfacher, kleiner und kostengünstiger realisieren, als es mit den derzeit gebräuchlichen, ölgefüllten Edelstahlgehäusen üblich ist. Die Verbindungstechnik lässt sich auf Sensorchips für andere Messgrößen adaptieren und so deren Umweltverträglichkeit ebenfalls steigern. Die Technologie erhöht die mögliche Fertigungstiefe des CiS zu miniaturisierten chemisch resistenten Sensormodulen. Damit ist das CiS in der Lage, seinen Kunden Module mit verbesserten Eigenschaften und vereinfachter Applikationsschnittstelle zur Verfügung zu stellen.
Zielgruppe und Zielmarkt
Die entwickelte Technologie erweitert die möglichen Einsatzfelder von Sensoren auf Basis von Silizium unter Anderem für die Messgrößen Druck, Durchfluss und Impedanz. Weiterhin lassen sich dadurch die Baugröße sowie die Kosten für die Aufbau und Verbindungstechnik senken. Das CiS plant die Technologie in weitere Sensortypen zu transferieren und für neue Projekte, die auf dieser Technologie aufsetzen, einzusetzen.