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  • Links: REM Profilübersicht von geätzten Nadeln auf der Silicium-Oberfläche. Rechts unten: Diodenstruktur. Rechts oben: Aufgebauter Fotodiodenchip mit Black Silicon - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Black Silicon

    Nanostrukturiertes Silizium weist je nach Strukturgröße und Form signifikant andere optische und elektrische Eigenschaften im Vergleich zum Volumenkristall auf. Es wurden sogenannte Black-Silicon-Strukturen entwickelt, die für neuartige Detektoren im UV- und IR-Bereich zum Einsatz kommen sollen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Richtungssensitiver Quadrantendetektor ein Millimeter auf Protection Circuit Board - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Richtungssensitiver Quadrantendetektor

    Ein winziger und einfach integrierbarer Mikrochip bestimmt die Lichteinfallsrichtung auf wenige Grad genau. Der monolithische Sensor basiert auf vier integrierten Fotodioden in einem 3D-strukturierten Siliziumsubstrat. Die neuentwickelte MEMS-Technologie erlaubt eine kostengünstige Fertigung.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Bild vom Demonstrator: ELISE-02-Modul.  Als eine neue Applikation der Strahler Empfänger Baugruppe mit hermetischem Wafer Level Packaging - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Planarisiertes Wafer Level Packaging für Mikrosensoren (PlanWLP)

    Wafer-Level-Bondverfahren erfordern extrem plane und saubere Grenzflächen. Durch übliche Halbleiterprozesse werden die Grenzflächen aber gestört. Das Projekt verfolgt dafür technologiekompatible Planarisierungsverfahren, die auch für solche Sensoren ein hermetisches Wafer-Level-Package ermöglichen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Teststrukturen PIEZO für die Messung der Piezokoeffizienten - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Berechnung und Verifikation von Piezokoeffizienten im Drucksensor-Design-Flow (Piezo)

    Die Kennlinienberechnung piezoresistiver Widerstandsbrücken differiert oftmals mit den an den realisierten Bauelementen gemessenen Kennlinien. Mittels lokaler quantenmechanischer Bestimmung der Piezo-Konstanten wurde diese Fehlerursache bewertet und eliminiert.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Im Silizium erzeugte Kavität mit resultierender Membran - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Micro-Structure Transformation of Silicon (MSTS)

    Ziel war es, für Basistechnologien zur Migration von sub-Mikrometer Si-Strukturen zunächst Einzelprozesse und darauf aufbauend Prozessmodule zu entwickeln. Als Demonstratoren wurden Strukturverrundungen, lokale SOI-Bereiche sowie absolut messende piezoresistive Drucksensoren angestrebt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • gemessene Druck-Temperaturkennlinie an einer polykristallinen Silizium Widerstandsstruktur auf einer Testmembran @ CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Miniaturisierter Drucksensor für einen Druckbereich kleiner 10 mbar

    Die Entwicklung eines extrem kleinen Drucksensors für den Messbereich kleiner zehn Millibar erfordert neue technologische Prinzipien in der Membranentwicklung. Um die marktüblichen Spezifikationen zur Empfindlichkeit einzuhalten, wurden Siliziumoxid und Siliziumnitrid-Membranen untersucht.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • © Martin Zießler – KVB gGmbH

    Projekt

    Integration von Sensornetzwerken zur Überwachung von faserverstärkten Primärstrukturen

    Die Integration von optischen Lichtwellenleitern ermöglicht die permanente und bedarfsgerechte Überwachung von faserverstärkten Bauteilen. Daraus resultierend können die Sicherheitsfaktoren und Lebenszykluskosten miniert und die Reichweite oder Nutzlast in Mobilitätsanwendungen maximiert werden.

    Forschungseinrichtung: KVB Institut für Konstruktion und Verbundbauweisen gGmbH
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  • Schleifmaschine

    Projekt

    Technologieentwicklung für die qualitätsgeregelte partielle Schleifbearbeitung von Draht mit umlaufendem Werkzeug und nicht rotierendem Werkstück

    Die Zielsetzung des Projektes bestand darin, biegeschlaffes Endlosmaterial (Draht) mittels Schleifen in einem Finishing-Prozess qualitätsgeregelt zu bearbeiten.

    Forschungseinrichtung: ICM - Institut Chemnitzer Maschinen- und Anlagenbau e. V.
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  • Folienherstellung mittels Runddüse am Doppelschneckenextruder, © Verein zur Förderung agrar- und stadtökologischer Projekte e. V. (A.S.P.)

    Projekt

    Material- und Verfahrensentwicklung für die industrielle Herstellung einer essbaren und vegetarischen Folienhülle

    Durch die Zusammenführung von Polysacchariden und Proteinen können mittels Heißextrusion essbare Folien hergestellt werden, die zum Beispiel zur Umhüllung von fleischfreien Wurstalternativen zum Einsatz kommen. Diese Folien können genau wie konventionelle Därme (Natur, Kollagen) verwendet werden.

    Forschungseinrichtung: Verein zur Förderung agrar- und stadtökologischer Projekte e. V. (A.S.P.)
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  • Fertig prozessierter Wafer mit Elektronendetektoren - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Prozessentwicklung zur Herstellung von hochempfindlichen UV- und Elektronendetektoren

    Durch die Entwicklung von Detektoren mit flacher aktiver Zone lassen sich UV-Photonen und niederenergetische Elektronen mit hoher Quanteneffizienz detektieren. Dies ist für eine oberflächensensitive Messung im Rasterelektronenmikroskop unerlässlich.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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