Ziel der Entwicklung
Ziel des bearbeiteten Projektes war es, ein Bondverfahren zu entwickeln, bei welchem mittels speziell präparierter Keramiksubstrate das gleichzeitige anodische Bonden von LTCC-Keramik beidseitig mit Silizium möglich ist. Wesentlich für die Realisierung dieses Bondprozesses war das Einbringen von zwei Zwischenelektroden in den LTCC-Sinterblock, jeweils direkt unterhalb der äußereren Glaskeramiklagen, die mit ihrer Oberseite die eigentliche Bondoberflächen bilden.
Vorteile und Lösungen
Durch die Einführung der Technologie des beidseitigen Anodischen Bondens von Siliziumwafern beziehungsweise Si-Chips mit bondbarer Glaskeramik ist es möglich, neueartige LTCC-Funktionseinheiten zu realisieren, die insbesondere auf dem Zusammenwirken von Sensoren mit mikrosensorischen beziehungsweise mikromechanischen Elementen beruhen. Das doppelseitige Bonden kann sowohl auf Waferbasis als auch mit vorseparierten Einzelchips unterschiedlicher Größe erfolgen.
Zielgruppe und Zielmarkt
Für die nächsten Jahren wird erwartet, dass immer mehr und strukturell kompliziertere LTCC Bauelemente entstehen werden, bei denen funktionelle Si-Chips oder mikrotechnische Si-Funktionseinheiten integriert sind. Das doppelseitige anodische Bonden kann hierbei als wesentliche Fertigungstechnologie zur Systemintegration unterstützende Fertigungstechnologie eingesetzt werden.