Ziel der Entwicklung

Ein innovatives und direkt in der Industrie umsetzbares Silizium-Oberflächenvorkonditionierungsverfahren wurde entwickelt und mit verschiedenen Grenzflächenprüfmethoden untersucht. Im Rahmen des Projektes wurde ein Messplatz basierend auf die Oberflächenphotospannungsmessmethode (SPV) erfolgreich aufgebaut und in Betrieb genommen. Eine SPV-Transiente (siehe Abbildung) dient zur kontaktlosen Charakterisierung von Grenzflächen, Bestandteil einer großen Anzahl von Bauelementen.

Vorteile und Lösungen

Das in diesem Projekt entwickelte Silizium-Oberflächenvorkonditionierungsverfahren basiert auf minimalem Verbrauch an Chemikalien im Vergleich zu den gängigen Verfahren, ist jedoch sehr effizient in seine Wirkung. Zusammen mit der im CiS eingeführten kontaktlosen Messmethode auf der Basis der elektrischen Oberflächenphotospannung, finden die beiden Entwicklungen Einsatz in den Bereichen der Mikrosystemtechnik, Photovoltaik sowie Halbleiterfertigungstechnologie zur schnellen Analysen von Grenzflächen.

Zielgruppe und Zielmarkt

Das Know-how der industrietauglichen Silizium-Oberflächenvorkonditionierungsverfahren einerseits und der kontaktlosen Analytik andererseits, die im Rahmen dieses Projektes entwickelt wurde, welche ursprünglich für die Photovoltaik entwickelt wurden, finden auch direkten Einsatz in der Mikrosystemtechnik.