Projekt

Aufbau und Verbindungstechnik für Hochtemperatursensorik

Mikrosensoren und Mikrosysteme werden zunehmend prozessnah in Umgebungen mit hohen Temperaturen eingesetzt. Im Projekt sollten Lösungen der Aufbau- und Verbindungstechnik für die Mikrosensorik mit Einsatztemperaturbereichen bis 350 Grad Celsius geschaffen werden.

Projekt

Untersuchungen des Entbinderns und Sinterns beim Materialextrusionsverfahren

Ziel des Vorhabens war es, die Einflussfaktoren des Entbinderns und Sinterns auf die resultierenden Werkstoffeigenschaften mittels Materialextrusion (MEX) additiv gefertigter, metallischer Komponenten zu bestimmen.

Projekt

Integrierte Reflektoren für MEMS IR-Strahler (IReMIS)

Durch eine neuartige Wafermontagelösung wurden MEMS IR Strahler entwickelt, in deren miniaturisiertes Chip Gehäuse ein Reflektor und eine Abdeckkappe integriert wurden. Dadurch sind die Chips hermetisch dicht und weisen eine verbesserte Strahldichte im Spektralbereich über sieben Mikrometer auf.

Projekt

Glowing Body Silicon Emitter

Im Projekt Glowing Body Silicon Emitter wurden neuartige, siliziumbasierte Infrarotemitter sowie ein dafür geeignetes Packaging auf Waferlevel entwickelt.

Projekt

MEMS-Gravimeter (M-Gravi)

Im Projekt wurden die Grundlagen zur Fertigung langzeitstabiler und kosteneffizienter MEMS-Gravimeter entwickelt. Die Sensoren sollen Orts und zeitaufgelöste Änderungen der Gravitation in mobilen Anwendungen erfassen können etwa zur präzisen Erkundung geologischer Gegebenheiten der Erdoberfläche.

Projekt

UV-Visible Light-Hybridsensor aus Diamant und Silizium (UVPD)

Es wurde eine Sandwich Anordnung, bestehend aus einem Detektor für hartes UV- Licht und einem davon unabhängigen Sensor für sichtbares Licht, entwickelt. Mittels neuartigem Verfahren wurde ein Hybridaufbau basierend auf einem polykristallinen Diamantdetektor über einer Silizium Fotodiode realisiert.

Projekt

Black Silicon

Nanostrukturiertes Silizium weist je nach Strukturgröße und Form signifikant andere optische und elektrische Eigenschaften im Vergleich zum Volumenkristall auf. Es wurden sogenannte Black-Silicon-Strukturen entwickelt, die für neuartige Detektoren im UV- und IR-Bereich zum Einsatz kommen sollen.

Projekt

Richtungssensitiver Quadrantendetektor

Ein winziger und einfach integrierbarer Mikrochip bestimmt die Lichteinfallsrichtung auf wenige Grad genau. Der monolithische Sensor basiert auf vier integrierten Fotodioden in einem 3D-strukturierten Siliziumsubstrat. Die neuentwickelte MEMS-Technologie erlaubt eine kostengünstige Fertigung.

Projekt

Planarisiertes Wafer Level Packaging für Mikrosensoren (PlanWLP)

Wafer-Level-Bondverfahren erfordern extrem plane und saubere Grenzflächen. Durch übliche Halbleiterprozesse werden die Grenzflächen aber gestört. Das Projekt verfolgt dafür technologiekompatible Planarisierungsverfahren, die auch für solche Sensoren ein hermetisches Wafer-Level-Package ermöglichen.

Projekt

Berechnung und Verifikation von Piezokoeffizienten im Drucksensor-Design-Flow (Piezo)

Die Kennlinienberechnung piezoresistiver Widerstandsbrücken differiert oftmals mit den an den realisierten Bauelementen gemessenen Kennlinien. Mittels lokaler quantenmechanischer Bestimmung der Piezo-Konstanten wurde diese Fehlerursache bewertet und eliminiert.